基本半導(dǎo)體B2M第二代SiC碳化硅MOSFET在逆變高頻焊機(jī)中的應(yīng)用優(yōu)勢(shì)
由于IGBT等功率器件的特性（開(kāi)通關(guān)斷損耗較大），高頻逆變焊機(jī)加熱設(shè)備的效率、容量和成本都受到制約。隨著基本半導(dǎo)體B2M第二代SiC碳化硅MOSFET功率器件技術(shù)的不斷成熟，其性能特點(diǎn)特別適合大功率高頻逆變焊機(jī)，通過(guò)對(duì)IGBT和基本半導(dǎo)體B2M第二代SiC碳化硅MOSFET功率器件的參數(shù)對(duì)比分析，采用基本半導(dǎo)體B2M第二代SiC碳化硅MOSFET功率器件對(duì)現(xiàn)有系列高頻逆變焊機(jī)的主電路進(jìn)行優(yōu)化，開(kāi)發(fā)出適合于高頻逆變焊機(jī)的基本半導(dǎo)體B2M第二代SiC碳化硅MOSFET的驅(qū)動(dòng)電路和功率單元，采用基本半導(dǎo)體B2M第二代SiC碳化硅MOSFET的高頻感應(yīng)焊機(jī)的性能和焊接效率均優(yōu)于使用IGBT的老設(shè)備。
逆變焊機(jī)高頻諧振軟開(kāi)關(guān)電路等應(yīng)用實(shí)現(xiàn)ZVS主要和Coss、關(guān)斷速度和體二極管壓降等參數(shù)有關(guān)。Coss決定所需諧振電感儲(chǔ)能的大小，值越大越難實(shí)現(xiàn)ZVS；更快的關(guān)斷速度可以減少對(duì)儲(chǔ)能電感能量的消耗，影響體二極管的續(xù)流維持時(shí)間或者開(kāi)關(guān)兩端電壓能達(dá)到的z低值；因?yàn)槔m(xù)流期間的主要損耗為體二極管的導(dǎo)通損耗.在這些參數(shù)方面，B2M第二代碳化硅MOSFET跟競(jìng)品比，B2M第二代碳化硅MOSFET的Coss更小，需要的死區(qū)時(shí)間初始電流小；B2M第二代碳化硅MOSFET抗側(cè)向電流觸發(fā)寄生BJT的能力會(huì)強(qiáng)一些。B2M第二代碳化硅MOSFET體二極管的Vf和trr 比競(jìng)品有較多優(yōu)勢(shì)，能減少LLC里面Q2的硬關(guān)斷的風(fēng)險(xiǎn)。綜合來(lái)看，比起競(jìng)品，高頻諧振軟開(kāi)關(guān)電路應(yīng)用中B2M第二代碳化硅MOSFET表現(xiàn)會(huì)更好.
碳化硅MOSFET具有優(yōu)秀的高頻、高壓、高溫性能，是目前電力電子領(lǐng)域z受關(guān)注的寬禁帶功率半導(dǎo)體器件。在電力電子系統(tǒng)中應(yīng)用碳化硅MOSFET器件替代傳統(tǒng)硅IGBT器件，可提高功率回路開(kāi)關(guān)頻率，提升系統(tǒng)效率及功率密度，降低系統(tǒng)綜合成本。適用于高性能變換器電路與數(shù)字化先進(jìn)控制、高效率 DC/DC 拓?fù)渑c控制，雙向 AC/DC、電動(dòng)汽車(chē)車(chē)載充電機(jī)（OBC）/雙向OBC、車(chē)載電源、集成化 OBC ，雙向 DC/DC、多端口 DC/DC 拓?fù)渑c控制，直流配網(wǎng)的電力電子變換器。
基本半導(dǎo)體第二代碳化硅MOSFET系列新品基于6英寸晶圓平臺(tái)進(jìn)行開(kāi)發(fā)，比上一代產(chǎn)品在比導(dǎo)通電阻、開(kāi)關(guān)損耗以及可靠性等方面表現(xiàn)更為出色。在原有TO-247-3、TO-247-4封裝的產(chǎn)品基礎(chǔ)上，基本半導(dǎo)體還推出了帶有輔助源極的TO-247-4-PLUS、TO-263-7及SOT-227封裝的碳化硅MOSFET器件，以更好地滿足客戶需求。
基本半導(dǎo)體第二代碳化硅MOSFET亮點(diǎn)
更低比導(dǎo)通電阻：第二代碳化硅MOSFET通過(guò)綜合優(yōu)化芯片設(shè)計(jì)方案，比導(dǎo)通電阻降低約40%，產(chǎn)品性能顯著提升。
更低器件開(kāi)關(guān)損耗：第二代碳化硅MOSFET器件Qg降低了約60%，開(kāi)關(guān)損耗降低了約30%。反向傳輸電容Crss降低，提高器件的抗干擾能力，降低器件在串?dāng)_行為下誤導(dǎo)通的風(fēng)險(xiǎn)。
更高可靠性：第二代碳化硅MOSFET通過(guò)更高標(biāo)準(zhǔn)的HTGB、HTRB和H3TRB可靠性考核，產(chǎn)品可靠性表現(xiàn)出色。
更高工作結(jié)溫：第二代碳化硅MOSFET工作結(jié)溫達(dá)到175°C，提高器件高溫工作能力。
由于IGBT等功率器件的特性（開(kāi)通關(guān)斷損耗較大），高頻逆變焊機(jī)加熱設(shè)備的效率、容量和成本都受到制約。隨著基本半導(dǎo)體B2M第二代SiC碳化硅MOSFET功率器件技術(shù)的不斷成熟，其性能特點(diǎn)特別適合大功率高頻逆變焊機(jī)，通過(guò)對(duì)IGBT和基本半導(dǎo)體B2M第二代SiC碳化硅MOSFET功率器件的參數(shù)對(duì)比分析，采用基本半導(dǎo)體B2M第二代SiC碳化硅MOSFET功率器件對(duì)現(xiàn)有系列高頻逆變焊機(jī)的主電路進(jìn)行優(yōu)化，開(kāi)發(fā)出適合于高頻逆變焊機(jī)的基本半導(dǎo)體B2M第二代SiC碳化硅MOSFET的驅(qū)動(dòng)電路和功率單元，采用基本半導(dǎo)體B2M第二代SiC碳化硅MOSFET的高頻感應(yīng)焊機(jī)的性能和焊接效率均優(yōu)于使用IGBT的老設(shè)備。
逆變焊機(jī)高頻諧振軟開(kāi)關(guān)電路等應(yīng)用實(shí)現(xiàn)ZVS主要和Coss、關(guān)斷速度和體二極管壓降等參數(shù)有關(guān)。Coss決定所需諧振電感儲(chǔ)能的大小，值越大越難實(shí)現(xiàn)ZVS；更快的關(guān)斷速度可以減少對(duì)儲(chǔ)能電感能量的消耗，影響體二極管的續(xù)流維持時(shí)間或者開(kāi)關(guān)兩端電壓能達(dá)到的z低值；因?yàn)槔m(xù)流期間的主要損耗為體二極管的導(dǎo)通損耗.在這些參數(shù)方面，B2M第二代碳化硅MOSFET跟競(jìng)品比，B2M第二代碳化硅MOSFET的Coss更小，需要的死區(qū)時(shí)間初始電流小；B2M第二代碳化硅MOSFET抗側(cè)向電流觸發(fā)寄生BJT的能力會(huì)強(qiáng)一些。B2M第二代碳化硅MOSFET體二極管的Vf和trr 比競(jìng)品有較多優(yōu)勢(shì)，能減少LLC里面Q2的硬關(guān)斷的風(fēng)險(xiǎn)。綜合來(lái)看，比起競(jìng)品，高頻諧振軟開(kāi)關(guān)電路應(yīng)用中B2M第二代碳化硅MOSFET表現(xiàn)會(huì)更好.
碳化硅MOSFET具有優(yōu)秀的高頻、高壓、高溫性能，是目前電力電子領(lǐng)域z受關(guān)注的寬禁帶功率半導(dǎo)體器件。在電力電子系統(tǒng)中應(yīng)用碳化硅MOSFET器件替代傳統(tǒng)硅IGBT器件，可提高功率回路開(kāi)關(guān)頻率，提升系統(tǒng)效率及功率密度，降低系統(tǒng)綜合成本。適用于高性能變換器電路與數(shù)字化先進(jìn)控制、高效率 DC/DC 拓?fù)渑c控制，雙向 AC/DC、電動(dòng)汽車(chē)車(chē)載充電機(jī)（OBC）/雙向OBC、車(chē)載電源、集成化 OBC ，雙向 DC/DC、多端口 DC/DC 拓?fù)渑c控制，直流配網(wǎng)的電力電子變換器。
基本半導(dǎo)體第二代碳化硅MOSFET系列新品基于6英寸晶圓平臺(tái)進(jìn)行開(kāi)發(fā)，比上一代產(chǎn)品在比導(dǎo)通電阻、開(kāi)關(guān)損耗以及可靠性等方面表現(xiàn)更為出色。在原有TO-247-3、TO-247-4封裝的產(chǎn)品基礎(chǔ)上，基本半導(dǎo)體還推出了帶有輔助源極的TO-247-4-PLUS、TO-263-7及SOT-227封裝的碳化硅MOSFET器件，以更好地滿足客戶需求。
基本半導(dǎo)體第二代碳化硅MOSFET亮點(diǎn)
更低比導(dǎo)通電阻：第二代碳化硅MOSFET通過(guò)綜合優(yōu)化芯片設(shè)計(jì)方案，比導(dǎo)通電阻降低約40%，產(chǎn)品性能顯著提升。
更低器件開(kāi)關(guān)損耗：第二代碳化硅MOSFET器件Qg降低了約60%，開(kāi)關(guān)損耗降低了約30%。反向傳輸電容Crss降低，提高器件的抗干擾能力，降低器件在串?dāng)_行為下誤導(dǎo)通的風(fēng)險(xiǎn)。
更高可靠性：第二代碳化硅MOSFET通過(guò)更高標(biāo)準(zhǔn)的HTGB、HTRB和H3TRB可靠性考核，產(chǎn)品可靠性表現(xiàn)出色。
更高工作結(jié)溫：第二代碳化硅MOSFET工作結(jié)溫達(dá)到175°C，提高器件高溫工作能力。
